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Ann Kelleher介紹了晶體管誕生75年之后的新進(jìn)展

在IEDM 2022（2022 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）全體會(huì)議上發(fā)表演講之前，英特爾副總裁兼技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher接受了《IEEE Spectrum》的采訪，她表示，摩爾定律的下一波浪潮將依靠名為系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化（system technology co-optimization, STCO）的發(fā)展理念。

Kelleher認(rèn)為，摩爾定律關(guān)乎功能集成度的提升，展望未來10到20年，可以看到一條充滿創(chuàng)新潛力的道路，將延續(xù)每?jī)赡旮倪M(jìn)一次產(chǎn)品的節(jié)奏，其中將包括半導(dǎo)體制程和設(shè)計(jì)的常規(guī)發(fā)展，但系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化會(huì)發(fā)揮最大作用。

Kelleher稱系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化為一種“由外向內(nèi)”的發(fā)展模式，從產(chǎn)品需支持的工作負(fù)載及其軟件開始，到系統(tǒng)架構(gòu)，再到封裝中必須包括的芯片類型，最后是半導(dǎo)體制程工藝。“所謂系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化，就是把所有環(huán)節(jié)共同優(yōu)化，由此盡可能地改進(jìn)最終產(chǎn)品。”Kelleher說。

系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化之所以成為當(dāng)下的一個(gè)重要選項(xiàng)，很大程度上是因?yàn)橄冗M(jìn)封裝技術(shù)，如3D集成，支持在單個(gè)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)芯粒（小且具有特定功能的芯片）的高帶寬連接。這意味著原來單芯片上的各個(gè)功能可以被分解到專門的芯粒上，而每個(gè)芯粒都可以采用最合適的的半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)行制造。例如，Kelleher在其全體會(huì)議演講中指出，高性能計(jì)算要求每個(gè)處理器內(nèi)核都有大量緩存，但芯片制造商微縮SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的能力并沒有跟上邏輯單元微縮的步伐。因此，使用不同制程技術(shù)把SRAM緩存和計(jì)算內(nèi)核分別制成單獨(dú)的芯粒，并利用3D集成技術(shù)將它們組接起來，是一種有意義的做法。

Kelleher談到，系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化在實(shí)際應(yīng)用中的一個(gè)重要案例是位于極光（Aurora）超級(jí)計(jì)算機(jī)核心的Ponte Vecchio處理器。它由47個(gè)芯粒（以及8個(gè)用于熱傳導(dǎo)的空白芯片）組成，利用先進(jìn)的平面連接（2.5D封裝技術(shù)）和3D堆疊技術(shù)拼接在一起。Kelleher說：“它匯集了不同晶圓廠生產(chǎn)的芯片，并將它們有效地組合起來，以便系統(tǒng)能夠執(zhí)行所設(shè)計(jì)的工作負(fù)載。”

英特爾認(rèn)為系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化是摩爾定律的下一個(gè)發(fā)展階段。

英特爾在IEDM 2022上展示了3D混合鍵合研究成果，相比2021年公布的成果，其密度又提升了10倍。連接密度的增加意味著可以將更多芯片功能分解到獨(dú)立的芯粒上，進(jìn)而又提升了通過系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化實(shí)現(xiàn)成果改進(jìn)的潛力。采用這項(xiàng)新技術(shù)，混合鍵合間距（即互連之間的距離）僅為3微米，借此可以將更多的緩存從處理器內(nèi)核中分離。Kelleher認(rèn)為，如果能將鍵合間距減少到2微米至100納米之間，將有可能實(shí)現(xiàn)邏輯功能的分離。目前，邏輯功能必須位于同一塊芯片上。

通過分解功能來優(yōu)化系統(tǒng)，這種趨勢(shì)正在深刻影響著對(duì)未來的半導(dǎo)體制造工藝。未來的半導(dǎo)體制程技術(shù)必須要應(yīng)對(duì)3D封裝環(huán)境的熱應(yīng)力，但互連技術(shù)的變化可能最大。Kelleher表示，英特爾有望在2024年推出一項(xiàng)名為PowerVia（通常指背面供電）的技術(shù)。PowerVia將供電網(wǎng)絡(luò)移動(dòng)到芯片下方，從而減小了邏輯單元的尺寸并降低了功耗。Kelleher介紹，它同時(shí)“提供了不同的機(jī)會(huì)，讓我們能夠探索如何在單個(gè)封裝內(nèi)進(jìn)行互連” 。

系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化（STCO）通過同步優(yōu)化從軟件到制程技術(shù)的一切，更全面地改進(jìn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。

Kelleher強(qiáng)調(diào)，系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化仍處于起步階段。EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）工具已經(jīng)解決了系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化的前身——也就是設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化（design technology co-optimization, DTCO）的挑戰(zhàn)，側(cè)重于邏輯單元級(jí)（logic-cell level）和功能塊級(jí)（functional-block level）的優(yōu)化。Kelleher介紹：“一些EDA工具供應(yīng)商已經(jīng)在進(jìn)行系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化的相關(guān)工作了，未來的重點(diǎn)將落在幫助其實(shí)現(xiàn)的方法和工具上。”

隨著系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化的發(fā)展，工程師們可能需要隨著它一起進(jìn)步。Kelleher說：“一般而言，工程師需要不斷掌握器件知識(shí)，但也要開始了解其技術(shù)和器件的用例。隨著系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化逐步深入發(fā)展，將需要更多的跨學(xué)科技能。”

英特爾的制程路線圖

Kelleher還介紹了英特爾的最新制程路線圖，將其與摩爾定律的推進(jìn)以及自晶體管發(fā)明以來的器件的演進(jìn)聯(lián)系起來。Kelleher表示，自英特爾在不到兩年前公布新的制程路線圖開始，一切都在步入正軌。同時(shí)，她也補(bǔ)充了一些細(xì)節(jié)，比如哪些處理器將率先采用新技術(shù)。

英特爾正在按部就班地推進(jìn)其制程技術(shù)路線圖。

預(yù)計(jì)于2024年上半年投產(chǎn)的Intel 20A取得了技術(shù)上的重大飛躍。它引入了一種新的晶體管架構(gòu)——RibbonFET（通常被稱為全環(huán)繞柵極或納米片晶體管）以及PowerVia背面供電技術(shù)。當(dāng)被問到這項(xiàng)技術(shù)可能涉及的風(fēng)險(xiǎn)時(shí)，Kelleher解釋了英特爾的戰(zhàn)略。

Kelleher稱：“這些并不需要同時(shí)完成，但我們看到了采用PowerVia來實(shí)現(xiàn)RibbonFET技術(shù)的顯著優(yōu)勢(shì)。” 她解釋道，兩者的發(fā)展是并行的，這樣可以減少延誤的風(fēng)險(xiǎn)。英特爾正在使用FinFET（目前正在使用的晶體管架構(gòu)）和PowerVia進(jìn)行測(cè)試。 “進(jìn)展非常順利，我們能夠加快研發(fā)步伐了。” Kelleher表示。

未來的晶體管

Kelleher發(fā)表演講之際，正值IEEE電子器件協(xié)會(huì)慶祝晶體管發(fā)明75周年。在《IEEE Spectrum》雜志上，我們向?qū)＜覀兲釂?，?047年，誕生100周年之際，晶體管會(huì)變成什么樣子。Kelleher認(rèn)為，晶體管技術(shù)是一項(xiàng)長(zhǎng)壽技術(shù)，平面晶體管設(shè)計(jì)一直從上世紀(jì)60年代持續(xù)到2010年左右，而它的繼任者FinFET仍然很強(qiáng)大。她表示：“現(xiàn)在，我們將采用RibbonFET，它可能會(huì)延續(xù)20年或更久......我預(yù)計(jì)我們將在某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始堆疊RibbonFET晶體管。然而，到那時(shí)晶體管的帶（ribbon）可能會(huì)由2D半導(dǎo)體制成，而不是硅。”

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